En physique des
semi-conducteurs, une
jonction p-n désigne une zone du cristal où le
dopage varie brusquement, passant d'un dopage
p à un dopage
n. Lorsque la région dopée
p est mise en contact avec la région
n, les
électrons et les
trous diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une
zone de déplétion où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle. Alors qu'un semi-conducteur dopé est un bon conducteur, la jonction ne laisse quasiment pas passer le courant. La longueur de la zone de déplétion varie avec la tension appliquée de part et d'autre de la jonction. Plus cette zone est courte, plus la résistance de la jonction est faible. La caractéristique I(V) de la jonction est donc fortement non linéaire : c'est celle d'une
diode.