Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (, IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren. Im Unterschied zur anderen Gruppe, den Feldeffekttransistoren mit nicht isolierter Steuerelektrode (, NIGFET) wird beim IGFET der Stromfluss durch Ladungsträgerinfluenz (elektrostatische Induktion) über ein vom leitfähigen Kanal elektrisch isoliertes Gate gesteuert.