microones

Amb el terme microones s'identifica a les ones electromagnètiques la freqüència de les quals és compresa entre 300 MHz i 300 GHz, i la corresponent longitud d'ona és d'1 m a 1 mm. Als senyals amb longitud d'ona en l'ordre dels mil·límetres se'ls anomena «ones mil·limètriques». Nogensmenys, les fronteres de les microones amb els infraroigs i les ones de ràdio d'alta freqüència són bastant arbitràries i s'utilitzen valors diferents en diverses aplicacions. A més, l'interval de microones més utilitzat en aplicacions s'acostuma a dividir en bandes determinades, que habitualment són les següents:


Les microones poden ser generades de diverses maneres, generalment dividides en dues categories: amb dispositius d'estat sòlid i amb dispositius basats en tubs de buit. Els dispositius d'estat sòlid per a microones es basen en semiconductors de silici o arsenur de gali, i inclouen transistors d'efecte camp (FET, field effect transistor), transistors d'unió bipolar (BJT, bipolar junction transistor), diodes Gunn i diodes IMPATT. S'han desenvolupat versions especialitzades de transistors estàndard per a altes velocitats, que són les utilitzades habitualment en aplicacions de microones.