EEPROM, 或稱
E2PROM, 全稱「
-{A|zh-hant:電氣可擦拭可規化式;zh-hans:電可擦除可編程}-唯讀記憶體 (
Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory)」。相比
EPROM,EEPROM 不需要用
紫外線照射,也不需取下,就可以用特定的
電壓, 來-{A|zh-hans:擦除;zh-hant:擦拭}-
芯片上的, 以便寫入新的。
EEPROM 有四種工作模式: 讀取模式、寫入模式、擦除模式、-{A|zh-hans:校驗;zh-hant:核對}-模式。讀取時,芯片只需要 Vcc 低電壓(一般+5V)供電。-{A|zh-hans:編程;zh-hant:規化}-寫入時,芯片通過 Vpp(一般+25V)獲得編程電壓,並通過 PGM 編程脈衝(一般50ms)寫入數據。擦除時,只需使用 Vpp 高電壓,不需要紫外線,便可以擦除指定-{A|zh-hans:地址;zh-hant:位址}-的內容。為保證編程寫入正確,在每寫入一塊數據後,都需要進行類似於讀取的校驗步驟,若錯誤就重新寫入。
由於 EEPROM 的優秀性能, 以及在線上操作的便利,它被廣泛用於需要經常擦除的 ROM 芯片以及閃存芯片,並逐步替代部分有斷電保留需要的 RAM 芯片。它與高速 RAM 成為當前 ( 21 世紀 00 年代) 最常用且發展最快的兩種存儲技術。