Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „
Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (,
IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren. Im Unterschied zur anderen Gruppe, den Feldeffekttransistoren mit nicht isolierter Steuerelektrode (,
NIGFET) wird beim IGFET der
Stromfluss durch Ladungsträger
influenz (elektrostatische Induktion) über ein vom leitfähigen Kanal elektrisch
isoliertes Gate gesteuert.