PMOS

Die Abkürzung PMOS steht für englisch „“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Defektelektronen) zur Leitung des elektrischen Stroms durch den Kanal genutzt werden (auch p-Kanal-MOSFET oder PMOSFET genannt). Schaltkreise, die nur p-Kanal-MOSFETs als Transistoren nutzen, werden als PMOS-Logik bezeichnet. Sie stellt das Komplement zur NMOS-Logik  dar, die Elektronen zur Leitung des elektrischen Stroms nutzt. Schaltkreise beider Art wurden und werden mit der sogenannten Silizium-Gate-Technik (auch PMOS-Prozess) hergestellt.