Programmable Metallization Cell

La cellule de métallisation programmable (programmable metallization cell en anglais, ou PMC) est une forme de mémoire non volatile en cours d'élaboration à l’université d’état d’Arizona (Arizona State University) et son entreprise dérivée, Axon Technologies. La PMC est une des technologies qui sont mises au point pour remplacer la très populaire mémoire flash, la surpassant à la fois en durée de vie, économie de puissance électrique, et densité de stockage. Infineon Technologies, qui a breveté la technologie en 2004, l’appelle sous le nom de conductive-bridging RAM, ou CBRAM. NEC a une variante appelée « Nanobridge » et Sony appelle leur version « mémoire électrolytique » (« electrolytic memory »).