Eine
Raumladungszone (RLZ), auch
Verarmungszone oder
Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich
dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich
Raumladungen mit Überschuss und Mangel an
Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint. Je nach Polarität einer von außen angelegten
elektrischen Spannung, damit verknüpft ergeben sich unterschiedliche
elektrische Feldkonfigurationen im Bereich der Verarmungszone, ist dieser Bereich im Halbleiter gut oder nur sehr schwach elektrisch leitfähig. Dieser physikalische Effekt stellt die Grundlage für die
gleichrichtende Funktion des Halbleiterbauelements einer
Diode dar. Neben Dioden spielen Raumladungszonen auch in anderen elektronischen Bauelementen wie
Bipolartransistoren oder
Sperrschicht-Feldeffekttransistoren eine grundlegende Rolle.