Silizium-Durchkontaktierung

Unter dem Begriff Silizium-Durchkontaktierung (, TSV) versteht man in der Halbleitertechnik eine meist vertikale elektrische Verbindung aus Metall (engl. , VIA) durch ein Silizium-Substrat (Wafer, Chip). Die TSV-Technologie ist eine vielversprechende Möglichkeit zur Realisierung elektrischer Verbindungen zwischen Teilchips bei der 3D-Integration von zukünftigen integrierten Schaltkreisen (IC).