Verarmungszone

Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint. Je nach Polarität einer von außen angelegten elektrischen Spannung, damit verknüpft ergeben sich unterschiedliche elektrische Feldkonfigurationen im Bereich der Verarmungszone, ist dieser Bereich im Halbleiter gut oder nur sehr schwach elektrisch leitfähig. Dieser physikalische Effekt stellt die Grundlage für die gleichrichtende Funktion des Halbleiterbauelements einer Diode dar. Neben Dioden spielen Raumladungszonen auch in anderen elektronischen Bauelementen wie Bipolartransistoren oder Sperrschicht-Feldeffekttransistoren eine grundlegende Rolle.