Ein
p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in
Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter
Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen
elektrischen Bauelementen der
Halbleitertechnik vor. Die Besonderheit des p-n-Übergangs ist die Ausbildung einer
Raumladungszone (auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt), die beim Anlegen einer äußeren Spannung Stromfluss nur in einer Richtung zulässt.